اولین جزئیات از پردازنده نسل جدید پرچمدار کوالکام منتشر شد

کوالکام ظاهراً در حال آماده‌سازی دو نسخه از نسل بعدی تراشه پرچمدار موبایلی خود است. گفته می‌شود Snapdragon 8 Elite Gen 6 در قالب یک نسخه استاندارد و یک نسخه رده‌بالاتر Pro عرضه خواهد شد و حالا شایعه‌ای تازه ادعا می‌کند که مدل Pro به فرکانس‌هایی نزدیک به پردازنده‌های دسکتاپ دست پیدا می‌کند.

بر اساس پستی در ویبو از افشاگر شناخته‌شده Fixed Focus Digital، نمونه‌های اولیه تراشه جدید کوالکام در آزمایش‌های اولیه به سرعت کلاک ۵ گیگاهرتز رسیده‌اند. این منبع حتی پا را فراتر گذاشته و می‌گوید سقف نهایی می‌تواند جایی بین ۵.۵ تا ۶.۰ گیگاهرتز باشد، هرچند تأکید می‌کند که ۵.۵ گیگاهرتز هدف واقع‌بینانه‌تری است.

گفته می‌شود این جهش در سرعت هسته‌ها به لطف استفاده از فناوری HBP (Heat Pass Block) امکان‌پذیر شده؛ یک راهکار حرارتی که توسط سامسونگ برای تراشه Exynos 2600 توسعه یافته است. در این فناوری، هیت‌سینک مستقیماً در پکیج تراشه ادغام می‌شود تا دفع گرما با کارایی بالاتری انجام شود. اگرچه این پست به‌طور مستقیم نام Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro را ذکر نمی‌کند، اما جزئیات مطرح‌شده کاملاً با انتظارات از پردازنده پرچمدار نسل بعدی کوالکام هم‌خوانی دارد.

برای مقایسه، Snapdragon 8 Elite Gen 5 فعلی حداکثر به حدود ۴.۶۱ گیگاهرتز روی هسته‌های قدرتمند خود می‌رسد و شایعاتی هم درباره کلاک‌های کمی بالاتر برای نسخه‌های اختصاصی برخی گوشی‌های گلکسی وجود دارد. عبور از مرز ۵ گیگاهرتز یک نقطه عطف مهم برای تراشه‌های موبایلی محسوب می‌شود، حتی اگر حفظ این سرعت‌ها در استفاده روزمره کار ساده‌ای نباشد.

عامل دیگری که می‌تواند به نفع کوالکام عمل کند، مهاجرت احتمالی به فرآیند ساخت ۲ نانومتری N2P شرکت TSMC است؛ فرآیندی که به‌طور طبیعی باید هم بهره‌وری بهتر و هم فرکانس‌های بالاتر را به همراه داشته باشد. همچنین بد نیست یادآوری کنیم که کوالکام در دنیای PC از حالا با بازاریابی تراشه‌های ۵ گیگاهرتزی احساس راحتی می‌کند؛ نمونه‌اش چیپ‌هایی مثل Snapdragon X2 Elite Extreme. آوردن چنین اعدادی به دنیای گوشی‌های هوشمند، قدم منطقی بعدی به نظر می‌رسد، حتی اگر محدودیت‌های حرارتی موبایل‌ها همچنان اجازه ندهد این سرعت‌ها به‌طور پایدار حفظ شوند.

در دیگر خبرها آخرین گزارش‌ها حاکی از آن بود که سامسونگ تولید انبوه اگزینوس ۲۶۰۰ خود را با فرآیند ۲ نانومتری GAA آغاز کرده است و گفته می‌شود این چیپست در مدل‌های مختلف گلکسی S26 به کار گرفته خواهد شد. پیشرفت این غول کره‌ای در گره‌های پیشرفته می‌تواند تا حدودی به کوالکام و مدیاتک کمک مالی کند، زیرا هر دو سازنده چیپست می‌توانند با یک شریک ریخته‌گری جدید همکاری کنند، زیرا به نظر نمی‌رسد TSMC از افزایش قیمت‌ها دست بردارد.

پیش از این در مورد افزایش ۵۰ درصدی قیمت فرآیند ۲ نانومتری TSMC صحبت شده است، اگرچه اطلاعات متناقضی ادعا می‌کنند که هر ویفر همچنان ۳۰۰۰۰ دلار برای هر واحد هزینه خواهد داشت و این غول ریخته‌گری، محصولات ۳ نانومتری «N3E» و ۳ نانومتری «N3P» خود را به ترتیب به ۲۵۰۰۰ و ۲۷۰۰۰ دلار افزایش خواهد داد. کوالکام و مدیاتک می‌دانند که انتظار می‌رود با گذار به فناوری ۲ نانومتری در سال آینده، قیمت‌ها گران‌تر شوند، و چوسان اظهار داشت که هر دو شرکت در حال حاضر سامسونگ را به عنوان یک جایگزین مناسب در نظر دارند.

گفته می‌شود کوالکام پیش از این یک تیم مشترک با این تولیدکننده کره‌ای تشکیل داده است و طبق گزارش‌ها، این شرکت اهل سن دیگو در حال ارزیابی نسخه GAA دو نانومتری اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ برای استفاده در پرچمداران آینده است. در مورد مدیاتک، این رسانه برنامه‌های مدیاتک را مشخص نکرده است، اگرچه این شرکت اعلام کرده است که با موفقیت اولین تراشه دو نانومتری خود را آماده کرده و آن را در سال ۲۰۲۶ عرضه خواهد کرد.