سامسونگ تولید انبوه تراشه های نسل سوم 4 نانومتری خود را آغاز می کند

بر اساس گزارشی، سامسونگ الکترونیکس آماده تولید انبوه تراشه‌های نسل سوم 4 نانومتری خود است که اصلی‌ترین مورد در بخش فرآیند ساخت فوق‌میکرو ریخته‌گری است. ظاهراً این شرکت کره‌ای مسائل مربوط به عملکرد را در مراحل اولیه حل کرده و به پیشرفت‌هایی در عملکرد، مصرف برق و بهبود منطقه دست یافته است. تولید باید در نیمه اول سال جاری آغاز شود.

سامسونگ بازده ویفر چیپست های نسل جدید خود را که قبلاً در کارخانه Hwaseong بسیار پایین بود، بهبود بخشیده است. این پیشرفت به سامسونگ اجازه داد تا با سایر شرکت های نیمه هادی مانند TSMC رقابت کند و مشتریانی مانند کوالکام را که قبلاً مجبور به تکیه بر پلتفرم های 4 نانومتری TSMC بودند، جذب کند.

طبق این گزارش، سامسونگ الکترونیکس تولید انبوه تراشه‌های خود را از طریق فرآیند 2.3 نسل 4 نانومتری در نیمه اول سال جاری آغاز خواهد کرد. در گزارش تجاری خود که در 12 مارس منتشر شد، غول فناوری کره ای برنامه تولید انبوه نسخه بعدی 4 نانومتری خود را برای اولین بار اعلام کرد. در مقایسه با نسخه اولیه SF4E، تراشه‌های نسل دوم و سوم 4 نانومتری عملکرد برتر، کاهش مصرف انرژی و فاکتورهای فرم کوچک‌تر را ارائه می‌دهند.

صاحبان صنعت پیشنهاد می کنند که فرآیند 4 نانومتری سامسونگ 60 درصد ویفرهای قابل استفاده دارد. قابل ذکر است که این بازده هنوز با عملکرد TSMC که در محدوده 70 تا 80 درصد شناخته شده است، برابری نمی کند. با این حال، کارشناسان می گویند که بازده سامسونگ به سرعت در حال بهبود است و تولید انبوه نسخه بعدی نیز شتاب می گیرد.

Samsung Electronics در رفع موانع فنی مانند افزایش عملکرد و بازده در فرآیندهای تولید پیشرفته پیشرفت چشمگیری داشته است. این بدان معناست که رقابت بین سامسونگ و TSMC در تولید انبوه فرآیندهای ساخت فوق میکرو برای تراشه های پیشرفته 5 نانومتری یا بیشتر تشدید خواهد شد.

منبع