شرکت سامسونگ به عنوان پیشرو در بازار حافظههای پیشرفته، با آغاز تولید انبوه حافظههای DDR5 DRAM 16 گیگابیتی خود، به عملکردی بهبود یافته برای پردازش برنامههای نسل بعدی، نظیر هوش مصنوعی، دست یافت. این حافظهها با استفاده از پیشرفتهترین فرآیند صنعتی کلاس 12 نانومتری تولید میشوند. شروع تولید این حافظههای پیشرفته و آمادهسازی خط تولید، تاییدی بر عهدۀ سامسونگ برای ادامه رهبری در تولید حافظههای پیشرفته است.
جویونگ لی، معاون اجرایی بخش محصولات و فناوریهای DRAM شرکت سامسونگ، اظهار داشت که حافظههای 12 نانومتری کلاس DDR5 سامسونگ با فناوری منحصربهفرد و فرآیند پردازشی متمایز خود، بهبود چشمگیری در بازدهی و عملکرد داشته و ادامه تولید این رمهای پیشرفته علاوه بر تامین نیاز بازار، نشانگر تعهد سامسونگ به نوآوری در بازار رمها و حافظههای پیشرفته است.
این تعهد شامل تجاریسازی راهکارهای نسل آینده با بهرهوری بیشتر نیز هست. با مقایسه با نسل قبلی، حافظههای رم 12 نانومتری DDR5 DRAM جدید سامسونگ، مصرف انرژی را تا 23 درصد کاهش و در عین حال ویفر (wafer) را تا 20 درصد بهرهوری آن افزایش میدهند. با توجه به بازدهی فوقالعاده انرژی، این حافظههای پیشرفته، برای شرکتهای جهانی حوزه فناوری اطلاعات که به دنبال کاهش مصرف انرژی و ردپای کربن سرورها و مراکز داده است، راهکاری ایدهآل است.
چون از یک ماده جدید استفاده میکنند که به افزایش ظرفیت سلولی کمک میکند، شرکت سامسونگ توانسته با توسعه فناوری پردازشی این رمها، محصولی با بازدهی بالا و ظرفیت سلولی بالا را به بازار عرضه کند. اختلاف پتانسیل الکتریکی قابل توجهی در سیگنالهای داده وجود دارد که با تشخیص دقیق آنها، تاثیر مثبتی در عملکرد این رمها دارد. برای کاهش ولتاژ پردازش و کاهش نویز، شرکت سامسونگ به راهکارهای بهینه تلاش میکند.
حافظههای رم 12 نانومتری DDR5 DRAM سامسونگ با حداکثر سرعت 7.2 گیگابیت بر ثانیه، مجموعه گستردهای از برنامهها را پشتیبانی میکنند از جمله مراکزداده، هوش مصنوعی، پردازشهای نسل بعدی و غیره. آزمایشات ارزیابی رمهای 16 گیگابیتی DDR5 سامسونگ برای سازگاری با پردازندههای AMD در دسامبر گذشته به پایان رسیده و شرکت به همکاری با شرکتهای جهانی حوزه فناوری اطلاعات، جهت ادامه نوآوری در بازار نسلهای بعدی حافظههای DRAM، پرداخته است.
نظرات در مورد : تولید انبوه حافظههای رم 12 نانومتری DDR5 DRAM توسط سامسونگ آغاز شد